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化學(xué)氣相沉積是以化學(xué)反應(yīng)方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應(yīng)氣體通到基片上，在基片上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成薄膜，對(duì)CVD薄膜生成過程，可以定性地歸結(jié)為反應(yīng)氣體通到基片上后，反應(yīng)氣體分子...
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(1)同種材料氬弧焊接頭結(jié)構(gòu)屬于這類結(jié)構(gòu)的有，真空管道和法蘭盤的連接、管道與管道的連接、波紋管和法蘭盤的連接、金屬.陶瓷封接件的翻邊與法蘭盤的連接等。所用材料一般為不銹鋼一不銹鋼、可...
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真空工藝中經(jīng)常遇到不銹鋼一不銹鋼、可伐一可伐、無氧銅一無氧銅的氬弧焊。此外還有不銹鋼一可伐，不銹鋼一無氧銅、鈦、鎢、鉭等金屬材料的氬弧焊。常用的1Cr18Ni9Ti不銹鋼在氬弧焊時(shí)，遇到的...
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CVD原料一般應(yīng)選擇常溫下是氣態(tài)的物質(zhì)或具有較高蒸氣壓的液體或固體，原料有氫化物、鹵化物、有機(jī)金屬化合物等。表10-19給出了制備CVD薄膜原料及其反應(yīng)生成物。
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CVD方法采用不同的反應(yīng)方式可以制備出單質(zhì)、化合物、氧化物和氮化物等各類薄膜。早期精制金屬時(shí)，采用氫還原及化學(xué)輸送反應(yīng)。現(xiàn)在廣泛使用的反應(yīng)方式有加熱分解、氧化、等離子體激發(fā)、光激發(fā)...
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釬焊是由高溫液態(tài)焊料填滿被釬焊的固態(tài)基金屬(釬接金屬或簡稱基金屬)間的間隙，使被釬焊金屬產(chǎn)生結(jié)合的一種工藝方法。與其它焊接方法比較，釬焊具有變形小、基金屬性能變化小、可同時(shí)完成多個(gè)...
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真空工藝用焊料的要求釬焊接頭的質(zhì)量很大程度上取決于焊料的性能。對(duì)真空工藝用焊料的要求如下：①要有合適的熔點(diǎn)和流點(diǎn)。熔點(diǎn)是焊料開始熔化時(shí)的溫度，流點(diǎn)是焊料熔化終了時(shí)的溫度。通常焊料...
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圖10-26給出了低溫CVD裝置簡圖。在500℃以下制作絕緣薄膜，用于集成電路中鋁布線表面防護(hù)膜、線間絕緣膜。
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此種裝置成膜溫度為600℃~800℃，可以制作集成電路中的金屬膜、多晶硅膜以及各種絕緣膜。此種裝置原理圖如圖10-27所示。
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圖10-28給出了外延生長硅單晶膜CVD裝置簡圖。此裝置在高溫下，在硅基片上外延生長硅單晶膜。可制作出均勻膜層，膜層厚度1μm~2μm。
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此裝置簡圖如圖10-29所示。裝置采用射頻感應(yīng)加熱，反應(yīng)在基片與感應(yīng)體附近發(fā)生，管壁沉積很少，硅膜生長速率為1μm/min—3μm/min。
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此裝置原理圖如圖10-30所示。采用高頻加熱，溫度可達(dá)1300℃—1800℃，膜生長速率為0.2μm/min～1.0μm/min。
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用CVD方法制作金屬薄膜，幾乎適用手所有的金屬，但一般低熔點(diǎn)金屬不必用CVD方法制膜，用蒸鍍和離子鍍方法可以得到優(yōu)質(zhì)薄膜。CVD制金屬膜，僅用于制作熔點(diǎn)高、硬度大的膜，如Ta、Mo、W、Re等金屬膜...
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減壓CVD法可制備Si02膜、PSG(硅酸磷玻璃)膜、BSG(硅酸硼玻璃)膜、AsSG(硅酸砷玻璃)膜、Si3H4膜及Al203等絕緣膜。主要用于半導(dǎo)體器件制造上。表10-20給出了絕緣膜種類、制作方法及用途。圖10...
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①純銀焊料。這種焊料可釬焊鎳、可伐等。純銀焊料的純度應(yīng)≥99.99%。其熔、流點(diǎn)均為960.5℃。②銀銅焊料。z*常用的是AgCu28和AgCu50兩種。AgCu28是銀銅共晶合金，熔點(diǎn)和流點(diǎn)相同，均為779℃，...
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