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1973年日本村山洋研制成了射頻放電離子鍍(RFIP)裝置，其原理圖如圖10-22所示。此裝置真空度為10-1Pa~10-2Pa，蒸鍍物質(zhì)原子離化度為10%，加熱用的頻率線圈高7cm，用3銅絲繞制，共7圈。射頻源頻率為13.56MHz或18MHz，功...

多弧離子鍍技術(shù)的核心是電弧蒸發(fā)源，這種新型蒸發(fā)源是一種冷陰極電弧放電型自蒸發(fā)自離化式固體蒸發(fā)源，它與其它傳統(tǒng)離子鍍蒸發(fā)源相比具有以下顯著特點(diǎn)：①沉積速率高，對(duì)TiN來(lái)說(shuō)可達(dá)100nm/s～1000nm/s;②離化率高，一般...

基于離子鍍沉積速度快，鍍材廣泛，繞射性好，鍍層質(zhì)密，附著性好等特點(diǎn)，其應(yīng)用日趨廣泛，將來(lái)有可能代替濕式電鍍。離子鍍應(yīng)用領(lǐng)域見(jiàn)表10-14。

(1)可伐的清洗①酸洗液配方：硝酸10%，鹽酸10%，去離子水80%。②鉻酸液配方：鉻酐100g，硫酸30mL，去離子水1000mL(此配方用于可伐、無(wú)氧銅、鉬去氧化膜)。③清洗過(guò)程(以先后為序)：去油后浸入70℃～80℃酸洗液中，時(shí)間2min...

氬弧焊是氣電焊的一種，它是以氬氣作為保護(hù)氣體的電弧焊。由于焊縫受到氬氣的保護(hù)，所以焊縫質(zhì)量比較高，同時(shí)又由于熱源集中，所以焊接時(shí)的熱影響區(qū)小，工件變形小，保證了工件的氣密性和機(jī)械強(qiáng)度。此法適用于焊接高強(qiáng)...

化學(xué)氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、供反應(yīng)氣體系統(tǒng)、反應(yīng)后氣體處理系統(tǒng)。反應(yīng)室設(shè)計(jì)時(shí)s*要問(wèn)題是保證薄膜的均勻性。因化學(xué)反應(yīng)在基片上發(fā)生，因而還需注意：①應(yīng)為反應(yīng)提供充足的氣體；②抑制氣...

化學(xué)氣相沉積是以化學(xué)反應(yīng)方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應(yīng)氣體通到基片上，在基片上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成薄膜，對(duì)CVD薄膜生成過(guò)程，可以定性地歸結(jié)為反應(yīng)氣體通到基片上后，反應(yīng)氣體分子被基片表面吸附，并在...

(1)同種材料氬弧焊接頭結(jié)構(gòu)屬于這類結(jié)構(gòu)的有，真空管道和法蘭盤的連接、管道與管道的連接、波紋管和法蘭盤的連接、金屬.陶瓷封接件的翻邊與法蘭盤的連接等。所用材料一般為不銹鋼一不銹鋼、可伐一可伐。為了保證接...

真空工藝中經(jīng)常遇到不銹鋼一不銹鋼、可伐一可伐、無(wú)氧銅一無(wú)氧銅的氬弧焊。此外還有不銹鋼一可伐，不銹鋼一無(wú)氧銅、鈦、鎢、鉭等金屬材料的氬弧焊。常用的1Cr18Ni9Ti不銹鋼在氬弧焊時(shí)，遇到的主要問(wèn)題是熱狀態(tài)下的...

CVD原料一般應(yīng)選擇常溫下是氣態(tài)的物質(zhì)或具有較高蒸氣壓的液體或固體，原料有氫化物、鹵化物、有機(jī)金屬化合物等。表10-19給出了制備CVD薄膜原料及其反應(yīng)生成物。

CVD方法采用不同的反應(yīng)方式可以制備出單質(zhì)、化合物、氧化物和氮化物等各類薄膜。早期精制金屬時(shí)，采用氫還原及化學(xué)輸送反應(yīng)。現(xiàn)在廣泛使用的反應(yīng)方式有加熱分解、氧化、等離子體激發(fā)、光激發(fā)等。各種反應(yīng)方式及生...

釬焊是由高溫液態(tài)焊料填滿被釬焊的固態(tài)基金屬(釬接金屬或簡(jiǎn)稱基金屬)間的間隙，使被釬焊金屬產(chǎn)生結(jié)合的一種工藝方法。與其它焊接方法比較，釬焊具有變形小、基金屬性能變化小、可同時(shí)完成多個(gè)零件的連接、并可連接...

真空工藝用焊料的要求釬焊接頭的質(zhì)量很大程度上取決于焊料的性能。對(duì)真空工藝用焊料的要求如下：①要有合適的熔點(diǎn)和流點(diǎn)。熔點(diǎn)是焊料開(kāi)始熔化時(shí)的溫度，流點(diǎn)是焊料熔化終了時(shí)的溫度。通常焊料的流點(diǎn)應(yīng)比被焊金屬熔...

圖10-26給出了低溫CVD裝置簡(jiǎn)圖。在500℃以下制作絕緣薄膜，用于集成電路中鋁布線表面防護(hù)膜、線間絕緣膜。