等離子體增強化學氣相沉積方式
發布時間：2019-05-07 21:32:22 | 人感興趣 | 評分：3 | 收藏：
等離子體化學氣相沉積有兩種：
一是等離子體增強化學氣相沉積( PECVD)，二是等離子體化學氣相沉積(PCVD)它們都是20世紀70年代發展起來的工藝。其特點是：
�、俚蜏爻赡ぃ瑴囟葘绊懶。苊饬烁邷爻赡さ木Я４执蠹澳优c基片之間生成脆相；
�、诳芍苽浜衲ぃ映煞志鶆颍樋仔 ⒅旅堋葢π。灰桩a生微裂紋；
�、鄣入x子體對基片有清洗作用，增加了膜層的附著力；
�、茉诓煌现苽涓鞣N金屬膜，非晶態無機物膜、有機物聚合膜。
等離子增強化學氣相沉積的基本原理是：將被鍍件置于低氣壓輝光放電的陰極上，通入適當氣體，在一定溫度下，利用化學反應和離子轟擊相結合的過程，在工件表面獲得涂層。如果采用TiC4、H2、N2混合氣體，在輝光放電條件下沉積氮化鈦，其沉積過程反應是：
而氣相物質吸收于工件表面并互相間反應，z*后形成固相薄膜沉積在工件表面上。
除以上的化學反應外，還有復雜的等離子體化學反應。
反應過程中的輝光放電，有兩種作用：
①放電中產生的離子清洗了工件表面；
�、谑构ぜ玫骄鶆蚣訜�。為沉積膜層提供一定的溫度條件。這兩種作用可提高膜層結合力，加快反應速度。
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