在常溫下鈦對(duì)N2、H2的吸附一般是化學(xué)吸附。但在液氮溫度下鈦膜對(duì)不同氣體的吸附過程和吸附性質(zhì)尚在探討。目前較多的看法是包括三個(gè)過程的吸附：s*先是氣體分子被物理吸附于表面；然后很快轉(zhuǎn)化為分子態(tài)的化學(xué)吸附，并在表面形成一個(gè)可游動(dòng)的吸附致密層；z*后，擴(kuò)散進(jìn)入膜中轉(zhuǎn)為原子態(tài)的穩(wěn)定化學(xué)吸附。按這樣的吸附過程，起始粘著系數(shù)實(shí)際是物理吸附概率。據(jù)Feukel理論，在物理吸附階段，吸附于表面的分子數(shù)與碰撞在表面上的分子數(shù)以及其停留時(shí)間r有關(guān)
式中Q-------物理吸附熱,它和氣體性質(zhì)、膜的材料有關(guān)；
r0---被束縛于表面的分子在垂直表面的法線方向上的振動(dòng)周期。
它與構(gòu)成膜面的原子（或分子）的振動(dòng)時(shí)間有直接關(guān)系。
在一般情況下，
由式見，r主要取決于膜面溫度T0，隨T0的降低，顯然增加了氣體分子碰在膜面上的停留時(shí)間r，粘著系數(shù)也就增大了。
還看到，鈦鉬絲對(duì)氮?dú)?、氫氣吸附容量隨膜生成溫度的降低而增大。這與低溫下成膜的結(jié)構(gòu)及吸氣過程相聯(lián)系。研究表明：低溫下生成膜與較高溫度下生成膜相比有兩個(gè)特點(diǎn)：①盡昝表面吸附位置數(shù)目基本相同，但其中高能吸附位置數(shù)的比例增多；②由于晶格較雜亂，增大了吸附可利用的內(nèi)表面積，膜中也同時(shí)存在較多的品格缺陷。
在低溫吸附過程中，吸附容量主要取決于表面致密層中被吸附氣體分子向膜中的擴(kuò)散速率。它除與膜面溫度有關(guān)外，還與膜的晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)。氮?dú)夂蜌錃庠阝伳ぶ袛U(kuò)散主要是通過晶界間隙和品格缺陷進(jìn)行的。因此，在低溫下生成的膜，由于可利用吸附表面積的增大和大量品格缺陷的存在，使吸附量必然增加。
此外，吸氣容量特性與吸氣材料的性質(zhì)有關(guān)。在常溫下鈦鋯絲的吸附容量反而比液氮溫度下要大。鋯作為一種高溫吸氣材料在電子管中廣泛應(yīng)用，正是利用了鋯在高溫下有更大吸氣能力的這一特點(diǎn)。
化學(xué)吸附是單分子層的。要不斷吸氣必須更新表面的吸附位置（繼續(xù)蒸發(fā)新鮮鈦膜，或者已吸附分子向膜內(nèi)擴(kuò)散），因此粘著系數(shù)口又與表面覆蓋度e有關(guān)
式中Ns——單位鈦膜表面上化學(xué)吸附一單分子層時(shí)氣體分子的數(shù)目（對(duì)不同氣體其值不同；
N——單鈦膜表面上已吸附的氣體分子數(shù)。
根據(jù)化學(xué)吸附理論，單位鈦膜表面上的抽速
式中
—— 打到鈦膜上氣分子中滿足化學(xué)吸附條件的概率；
E——化學(xué)吸附活化能；
——理想比抽速，在20℃下對(duì)H為So=44 .4L/s，對(duì)
當(dāng)表面覆蓋度時(shí)，表面粘著系數(shù)稱為本征粘著系數(shù)a0。它的物理意義是指蒸發(fā)率足夠高或工作壓力足夠低時(shí)，鈦膜表面幾乎沒有吸附上任何氣體分子的新鮮情況下，對(duì)氣體分子的粘著系數(shù)。在一般情況下，上述條件是不能滿足的。因此，實(shí)際所測(cè)粘著系數(shù)是表面覆蓋度時(shí)的值，故a< a0。就本實(shí)驗(yàn)條件，由于蒸發(fā)率較小本底壓力又較高，所以表面覆蓋度的影響不能忽略，所測(cè)粘著系數(shù)并不是本征值 a0。
