測量鈦鉬和鈦鋯絲蒸發(fā)參數(shù)：結果討論
發(fā)布時間：2019-05-07 19:20:33 | 人感興趣 | 評分：3 | 收藏：
在常溫下鈦對N2、H2的吸附一般是化學吸附。但在液氮溫度下鈦膜對不同氣體的吸附過程和吸附性質尚在探討。目前較多的看法是包括三個過程的吸附：s*先是氣體分子被物理吸附于表面；然后很快轉化為分子態(tài)的化學吸附，并在表面形成一個可游動的吸附致密層；z*后，擴散進入膜中轉為原子態(tài)的穩(wěn)定化學吸附。按這樣的吸附過程，起始粘著系數(shù)實際是物理吸附概率。據(jù)Feukel理論，在物理吸附階段，吸附于表面的分子數(shù)與碰撞在表面上的分子數(shù)n及其停留時間r有關
16-30
式中 Q-物理吸附熱，它和氣體性質、膜的材料有關；
ro-被束縛于表面的分子在垂直表面的法線方向上的振動周期。它與構成膜面的原子（或分子）的振動時間有直接關系。
在一般情況下，TO=10-12～10 -14S。由式(16-30)酉見，r主要取決于膜面溫度T。，隨T。的降低，顯然增加了氣體分子碰在膜面上的停留時間r，粘著系數(shù)也就增大了。
還看到，鈦鉬絲對N2 .H2吸附容量隨膜生成溫度的降低而增大。這與低溫下成膜的結構及吸氣過程相聯(lián)系。研究表明：低溫下生成膜與較高溫度下生成膜相比有兩個特點：①盡昝表面吸附位置數(shù)目基本相同，但其中高能吸附位置數(shù)的比例增多；②由于晶格較雜亂，增大了吸附可利用的內表面積，膜中也同時存在較多的品格缺陷。
在低溫吸附過程中，吸附容量主要取決于表面致密層中被吸附氣體分子向膜中的擴散速率。它除與膜面溫度有關外，還與膜的晶體結構有關。N2和H2在鈦膜中擴散主要是通過晶界間隙和品格缺陷進行的。因此，在低溫下生成的膜，由于可利用吸附表面積的增大和大量品格缺陷的存在，使吸附量必然增加。
此外，吸氣容量特性與吸氣材料的性質有關。在常溫下鈦鋯絲的吸附容量反而比液氮溫度下要大。鋯作為一種高溫吸氣材料在電子管中廣泛應用，正是利用了鋯在高溫下有更大吸氣能力的這一特點。
化學吸附是單分子層的。要不斷吸氣必須更新表面的吸附位置（繼續(xù)蒸發(fā)新鮮鈦膜，或者已吸附分子向膜內擴散），因此粘著系數(shù)口又與表面覆蓋度e有關。
當表面覆蓋度0=0(即f(∞=1)時，表面粘著系數(shù)稱為本征粘著系數(shù)ao。它的物理意義是指蒸發(fā)率足夠高或工作壓力足夠低時，鈦膜表面幾乎沒有吸附上任何氣體分子的新鮮情況下，對氣體分子的粘著系數(shù)。在一般情況下，上述條件是不能滿足的。因此，實際所測粘著系數(shù)是表面覆蓋度日≠0時的值，故a< a0。就本實驗條件，由于蒸發(fā)率較小(W=2.9 X10-8g/cm2．s)，本底壓力又較高，所以表面覆蓋度的影響不能忽略，所測粘著系數(shù)并不是本征值a。
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