文獻[199]介紹了一種用于四極質譜計的高產(chǎn)額離子源（圖12-4）。這種離子源的電離區(qū)較大，而且在這較大的區(qū)域內都具有中等強度的引出電場，該引出場對離子還起會聚作用，因此離子源的離子產(chǎn)額較高。
又由于離子源的電離室是由許多片狀圓環(huán)電極組成的，這就大大減小了由于電極表面污染所引起的性能變化。這種離子源的離子能量分散不超過離子引出電壓的0.5%，因而對儀器分辨本領影響較小。
圖12-5給出低能量高束流的新型電子碰撞源。采用大面積氧化物陰極作為電子發(fā)射體，可發(fā)射出0.5A的電子流。氣體的電離在雙層屏蔽的“空心陰極”中發(fā)生。皮爾斯透鏡和陽極間電壓為離子引出電壓。為了增加低離子能量的離子束流，可先用皮爾斯透鏡電壓將離子加速，然后再減至較低能量。離子源的離子能量可在數(shù)電子伏至數(shù)千電子伏之間調節(jié)，在25V時，離子束密度可達到SFt A/cnr2。在z*佳條件下，離子源效率（引出的離子流和發(fā)射電子流之比）約為10^-6，離子能量分散小于1eV。
圖12-6給出不用準直磁場的改進型正交束電子碰撞離子源。這種離子源的電子束具有較好的聚焦性能。由于電子碰撞源的離子引出效率和穩(wěn)定性主要取決于離子引出極與電子束間的距離和引出場形式，所以在離子源引出縫一側采用引出電極來代替電離室，從而提高離子引出效率和穩(wěn)定性。在適當?shù)膸缀纬叽绾碗姌O電壓下，當離子源內壓力為6.5×10^- 2Pa（氬）時，進入分析器的離子流可達到7×10^-7A，離子源的離子能量分散小于4eV。